近日，由九域半导体科技自主研制的HM2200涡流-霍尔迁移率系统，在客户现场成功完成最终验收，设备各项核心性能指标均达到国际先进标准。

本项目自2024年末启动以来，企业研发团队集中力量攻克关键技术，历时十个月，相继完成从设计、制造到交付、调试的全流程工作。该系统的成功应用，标志着我国在高端半导体电学性能量测装备领域取得重要进展，实现了该技术的国产化替代。

该设备主要用于 HEMT结构材料载流子迁移率和载流子浓度的表征，是集成电路研发与制造过程中的关键环节。此次成功验收，为我国芯片产业的技术升级与创新发展提供了可靠的自主装备支持，增强了产业链在关键环节的自主可控能力。

通过本次技术攻关，该企业已掌握此类系统的核心研制能力，成为全球少数可提供该尖端测量解决方案的科技企业之一。这一成果，是我国半导体高端装备自主研发道路上的一个坚实脚步。

未来，企业将继续致力于半导体前沿量测技术的研发与应用，推动更多关键装备的自主化进程，为我国集成电路产业的高质量发展提供持续助力。