碳化硅由美国人艾奇逊在1891年电熔管件金钢石实验时，实验室环境意外发现的一种渗碳体，1893年艾奇逊科学研究出来工业生产冶炼厂碳化硅的办法，其实就是大家常说的艾奇逊炉，一直沿用至今，以碳质材质为炉芯论的电阻炉，通电加热器石英石SiO2和碳的混合物形成碳化硅。

SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）所组成的化合物半导体材料。不但绝缘层击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，并且在元器件制作过程中还可以在比较宽范围之内操纵必须的p型、n型，因此被认为是一种超过Si极限电力电子器件原材料。SiC中存在各种多体形（结晶体多系），它们物理性能值也不尽相同。用以电力电子器件制做，4H-SiC最合适。

PropertiesSi4H-SiCGaAsGaNCrystal StructureDiamondHexagonalZincblendeHexagonalEnergy Gap:EG(eV)1.123.261.433.5Electron Mobility:μN(cm2/VS)140090085001250Hole Mobility:μP(cm2)600100400200Breakdown Field:EB(V/cm)×1060.330.43Thermal Conductivity(W/cm°C)1.54.90.51.3Saturation Drift Velocity:VS(cm/s)×10712.722.7Relative Dielectric Constant:εS11.89.712.89.5p.n Control○○○△Thermal Oxide○○××SiC的物理特征和特征：

SiC比Si的绝缘层击穿场强宽约10倍，能耐600V～千余V高压。这时，与Si元器件对比,可以提高杂质浓度，并可使膜厚的漂移层变软。高耐压输出功率元器件的电阻成份基本上都是漂移层电阻，电阻值与漂移厚度成正比例提升。由于SiC的漂移层能够变软，因此可制作单位面积的通断电阻极低的高耐压元器件。本质上,只需耐压同样，与Si对比,SiC的利用系数漂移层电阻可降至1/300。

Si 输出功率元器件为提升高耐压化所产生的通断电阻増问题，主要是用IGBT（绝缘栅极双极晶体管）等少数载流子元器件（双极元器件）。但是因为开关损耗大且具备发烫难题，完成高频率推动存有界线。因为SiC可以使肖特基能隙二极管和MOSFET等快速多数载流子元器件的耐压更高一些，因此能够从而实现“高耐压”、“低通断电阻”、“快速”。

这时，带隙是Si的约3倍，可以在更高条件下工作中。如今，受封装形式耐温性的制约可确保150℃～175℃的工作温度，但是随着封装工艺的高速发展将可以达到200℃之上。